描述
應用領域
- TAIKO晶片減薄制程
- 化合物半導體
- 外延片晶背減薄
- BGBM晶背減薄制程
- CMP後Damage layer去除
- 表面研磨應力消除
工藝指標
- 刻蝕均勻性：≤10 %（Si）
- 背酸 : < 1mm(各種酸)
- 控溫精度：±0.5℃
- Wafer thickness: 100 um~300um
- Wafer warpage : ≤ 6mm
- 破片率＜1/10000
晶圆尺寸
- 150mm
- 200mm
- 300mm
設備配置
- 最多4個Load port
- Bernoulli對中裝置
- Bernoulli Fork 和 Spin chambers
- 獨有非接觸式Bernoulli Spin chuck和翻轉機構
